Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
IPP08CNE8N G
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPP08CNE8N G-DG
Opis:
MOSFET N-CH 85V 95A TO220-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 85 V 95A (Tc) 167W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Magazyn:
Zapytanie ofertowe Online
12800577
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPP08CNE8N G Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
-
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
85 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
95A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
6.4mOhm @ 95A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 130µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
99 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
6690 pF @ 40 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
167W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO220-3
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
IPP08C
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
IPP08CNE8N G
Karta danych HTML
IPP08CNE8N G-DG
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
IPP08CNE8NGXK
IPP08CNE8NG
IPP08CNE8N G-DG
IPP08CNE8NGX
SP000096466
SP000680846
Pakiet Standard
500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
TK34E10N1,S1X
PRODUCENT
Toshiba Semiconductor and Storage
ILOŚĆ DOSTĘPNA
5
NUMER CZĘŚCI
TK34E10N1,S1X-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.53
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
PSMN4R6-60PS,127
PRODUCENT
Nexperia USA Inc.
ILOŚĆ DOSTĘPNA
7843
NUMER CZĘŚCI
PSMN4R6-60PS,127-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.15
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
PSMN009-100P,127
PRODUCENT
NXP Semiconductors
ILOŚĆ DOSTĘPNA
291
NUMER CZĘŚCI
PSMN009-100P,127-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.44
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
PSMN5R0-80PS,127
PRODUCENT
Nexperia USA Inc.
ILOŚĆ DOSTĘPNA
23033
NUMER CZĘŚCI
PSMN5R0-80PS,127-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.37
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
PSMN3R0-60PS,127
PRODUCENT
Nexperia USA Inc.
ILOŚĆ DOSTĘPNA
4251
NUMER CZĘŚCI
PSMN3R0-60PS,127-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.62
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPB020N10N5LFATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
IPB65R150CFDATMA2
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO263-3
IPB240N03S4LR9ATMA1
MOSFET N-CH 30V 240A TO263-7
IPD082N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3